本報訊 （記者吳文婧）1月16日，露笑科技股份有限公司（以下簡稱“露笑科技”）發(fā)布消息稱，控股子公司合肥露笑半導體材料有限公司（以下簡稱“合肥露笑”）在8英寸導電型碳化硅襯底研發(fā)與產業(yè)化領域取得重大突破，核心技術指標達到行業(yè)先進水平。

    據(jù)介紹，在晶體質量方面，合肥露笑已全面掌握8英寸導電型碳化硅晶體生長工藝參數(shù)之間的耦合關系，成功生長出高質量的8英寸碳化硅晶體。相關晶體結晶質量高、晶型控制穩(wěn)定，能夠有效確保襯底產品的高性能和一致性。在微管密度、表面粗糙度、位錯密度、電阻率分布均勻性等在內的關鍵參數(shù)上，公司均已達到或優(yōu)于行業(yè)主流標準，其中，微管密度極低，表面質量滿足客戶要求，為下游客戶制造高性能、高可靠性的碳化硅功率器件奠定了堅實基礎。

    值得一提的是，合肥露笑擁有自主知識產權的晶體生長設備和核心技術，實現(xiàn)了從晶體生長到襯底加工的全產業(yè)鏈技術布局，并已建立起可重復的8英寸碳化硅襯底制造工藝體系，技術成熟度高。

    基于8英寸導電型碳化硅襯底研發(fā)取得的突破性進展，公司已制定了清晰的戰(zhàn)略規(guī)劃：在合肥基地一期項目順利投產的基礎上，積極籌劃二期擴產項目，將重點聚焦于8英寸碳化硅襯底產線建設，旨在快速形成規(guī)?；a能力，以滿足新能源汽車、光伏發(fā)電、儲能及工業(yè)控制等領域對高性能8英寸碳化硅襯底日益增長的市場需求。

    公司還將持續(xù)加大研發(fā)投入，進一步優(yōu)化8英寸導電型碳化硅的生產工藝，在提升產品性能的同時推動制造成本下降。此外，公司還將前瞻性布局下一代碳化硅技術，積極探索更大尺寸襯底的研發(fā)方向，鞏固核心競爭優(yōu)勢。

    在市場與合作層面，隨著8英寸碳化硅襯底產品逐步成熟，公司將積極與國內外知名功率器件廠商及終端應用客戶開展深度合作與產品驗證，進一步深化上下游戰(zhàn)略協(xié)同，共同推動碳化硅技術在更多領域的廣泛應用，加速國產替代進程。

    業(yè)內人士認為，8英寸碳化硅襯底被視為第三代半導體實現(xiàn)規(guī)模化應用和成本優(yōu)化的重要方向，合肥露笑在該領域取得的階段性成果，不僅是公司自身發(fā)展歷程中的重要節(jié)點，也為我國半導體材料自主創(chuàng)新提供了有力支撐。未來，隨著產能建設推進和應用驗證深化，其產業(yè)化進展值得持續(xù)關注。

（編輯 郭之宸）