本報訊 （記者李春蓮）氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體材料，是支撐Micro－LED微顯示技術(shù)的核心。然而，如何將氮化鎵發(fā)光單元與成熟的硅基CMOS驅(qū)動電路高效集成，長期制約著AR／VR等近眼顯示產(chǎn)品的商業(yè)化進(jìn)程。這一問題本質(zhì)上涉及不同材料體系之間的三維異構(gòu)集成能力。近日，這一關(guān)鍵技術(shù)瓶頸迎來重要突破。蘇州漢驊半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“漢驊半導(dǎo)體”）宣布，在其“超越摩爾GaN Plus”平臺上，成功構(gòu)建起與8寸CMOS半導(dǎo)體工藝高度兼容的Micro－LED標(biāo)準(zhǔn)工藝量產(chǎn)平臺。

    該平臺實現(xiàn)了從氮化鎵外延、無損去硅、薄膜集成到CMOS工藝、微顯示器件的全流程鏈路貫通，呈現(xiàn)出以三維集成為核心的平臺化工藝能力，標(biāo)志著Micro－LED在超高分辨率近眼顯示領(lǐng)域的規(guī)模化應(yīng)用邁出關(guān)鍵一步。

    據(jù)了解，此次建成的8寸標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺，核心在于打通了材料與工藝之間的“異構(gòu)集成”通道。通過自主研發(fā)的晶圓級無損去硅技術(shù)，團(tuán)隊實現(xiàn)了8寸硅片上氮化鎵薄膜的完整剝離與轉(zhuǎn)移，并在工藝窗口上對標(biāo)主流8寸CMOS產(chǎn)線標(biāo)準(zhǔn)，使得發(fā)光陣列與驅(qū)動芯片能夠?qū)崿F(xiàn)晶圓級鍵合與協(xié)同制造。目前，該平臺已具備紅、藍(lán)、綠等多波長發(fā)光結(jié)構(gòu)的工藝能力，支持超高像素密度（PPI）微顯示陣列的制備，可滿足近眼顯示、光互聯(lián)、數(shù)字車燈、AI電源管理等前沿應(yīng)用對核心器件的需求。平臺同時面向產(chǎn)業(yè)開放代工與聯(lián)合開發(fā)服務(wù)，提供類似半導(dǎo)體工藝設(shè)計套件（PDK）的標(biāo)準(zhǔn)化接口，支持從設(shè)計、驗證到量產(chǎn)的協(xié)同創(chuàng)新。

（編輯 郭之宸）