■謝若琳

    自去年9月份起，存儲市場迎來罕見的漲價行情。1月12日，筆者購入兩根32G的DDR5（第5代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取內存）內存條套裝，價格為3099元。截至1月18日，該套裝售價已經升至3699元，漲幅高達19.36%。

    市場研究機構Counterpoint Research近期發(fā)布的報告顯示，存儲市場行情已經超過2018年的歷史高點，供應商議價能力已達到歷史最高水平，預計2026年第一季度市場價格還將上漲40%至50%，第二季度繼續(xù)上漲約20%。

    與以往由消費電子驅動的周期性復蘇不同，本輪存儲“超級周期”最根本的驅動力，源自數(shù)據(jù)中心擴建潮后“算力之后看存力”的邏輯。隨著大模型從訓練走向推理和AI智能體應用，AI基礎設施產生了海量數(shù)據(jù)存儲與高速訪問需求，主要存儲廠商將先進產能優(yōu)先分配給HBM（高帶寬內存）等高端產品，導致用于消費電子的DDR4、DDR5等通用內存供應嚴重不足。

    一個標志性信號是，在2025年第四季度，三星電子、SK海力士、美光等三大內存供應商就已宣布，其2026年面向AI服務器的存儲芯片相關產品產能“已經售罄”。

    從產業(yè)鏈上下游來看，“超級周期”的影響已經顯現(xiàn)。上游廠商短期內明顯受益，全球存儲巨頭及部分國內產業(yè)鏈公司業(yè)績大幅增長。在財報中，美光公司展望2026年第二財季時表示，預計公司營收將達187億美元左右，毛利率進一步提升至68%。但相較之下，下游環(huán)節(jié)成本端承壓，導致PC、手機等消費終端品牌紛紛上調新品售價。

    可以說，雖然存儲“超級周期”能夠加速技術創(chuàng)新與產業(yè)升級，使得高性能閃存、冷熱數(shù)據(jù)分層、綠色存儲等技術快速迭代。但與此同時，泡沫也會相伴相生。市場可能出現(xiàn)非理性繁榮與資源錯配的情況，過度炒作概念、資本扎堆短期熱點、忽視底層技術可靠性等問題或逐漸浮現(xiàn)。

    因此，筆者認為，面對“超級周期”，市場各方要保持理性，更要注意潛在風險。

    一方面，需求端波動或加大。這場由AI驅動的“超級周期”，本質上對供給產生了“虹吸效應”。有限的晶圓產能被HBM等高端產品大量擠占，必然導致用于消費電子的通用型存儲芯片供應減少，這將導致手機、電腦等消費電子產品價格飆升，并出現(xiàn)高價低配或供應短缺的情況，一定程度上抑制下游消費需求。

    另一方面，警惕盲目擴張與技術迭代的“周期陷阱”風險。面對巨大的市場誘惑，產業(yè)擴產沖動已然顯現(xiàn)，從國際巨頭到國內廠商，均在積極布局研發(fā)、擴產計劃。但參照上一輪2018年的存儲“超級周期”來看，若行業(yè)因高價而陷入非理性大規(guī)模擴產競賽，待新一代技術全面量產、供應改善后，市場很可能迅速走向供需逆轉，重蹈價格轉跌的覆轍。

    毋庸置疑，存儲市場“超級周期”深刻重塑了行業(yè)的產品重心、競爭格局與價值鏈分配。但對于相關企業(yè)而言，在仰望技術高峰、追逐產業(yè)紅利的同時，更需要腳踏實地，避免因短期暴利而扭曲長期健康的產業(yè)生態(tài)?？沙掷m(xù)的繁榮，遠比一時的狂歡更為珍貴。