本報記者 吳文婧 見習記者 杜卓蔓
11月30日晚間,露笑科技公告稱,公司非公開發(fā)行股票的申請獲得中國證監(jiān)會審核通過。
露笑科技此前發(fā)布非公開發(fā)行預案顯示,本次非公開發(fā)行擬募集資金總額不超過10億元(含10億元),發(fā)行股票數(shù)量不超過4.53億股(含本數(shù)),不超過本次非公開發(fā)行前總股本的30%。
本次定增募投項目包括“新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項目”、“碳化硅研發(fā)中心項目”和“償還銀行貸款”。其中,新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項目擬投入6.5億元,生產(chǎn)碳化硅襯底片等產(chǎn)品,以滿足國內(nèi)外快速增長的6英寸及以上尺寸級別的碳化硅襯底片市場需求。
據(jù)悉,第三代半導體是“超越摩爾定律”的重要發(fā)展內(nèi)容。碳化硅作為第三代寬禁帶半導體材料,具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和漂移速度以及更高的抗輻射能力,是制造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想材料,是未來半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要方向,將成為支撐5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)、新能源汽車及充電樁、特高壓輸變電及軌道交通等“新基建”的關(guān)鍵核心材料。
據(jù)記者了解,露笑科技從2018年下半年開始組建碳化硅晶體生長爐制造攻關(guān)小組,2019年7月份成功研制出晶體生長爐并開始批量銷售;2020年9月份與合肥市長豐縣簽署碳化硅產(chǎn)業(yè)園投資項目,11月28日正式開工建設(shè)。
目前全球碳化硅市場基本被在國外企業(yè)所壟斷。露笑科技方面稱,擬以本次定增為契機,規(guī)模化生產(chǎn)6英寸半絕緣及導電碳化硅襯底片,拓展碳化硅在5GGaN-on-SiC高電子遷移率晶體管(HEMT)、SiC肖特基二極管(SBD)、SiC金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)等元器件、芯片方面的應用。
(編輯 何帆)
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